UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

這些新設(shè)備可以提供新水平的高壓電源性能，適用于快速增長的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、5G基站電信整流器、電動(dòng)汽車充電器等應(yīng)用。這些新器件將對(duì)設(shè)計(jì)工程師非常有吸引力，他們?nèi)匀幌矚g使用3引腳、TO220或D2PAK封裝選項(xiàng)，但也在努力提高功率因數(shù)校正電路、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的功率性能。

美國集成電路的UJ3C和UF3C場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品系列在真正的“直接替代”功能方面是獨(dú)一無二的。通過將現(xiàn)有的硅IGBT、硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管或硅超結(jié)器件替換為集成場(chǎng)效應(yīng)晶體管，設(shè)計(jì)者可以在不改變柵極驅(qū)動(dòng)電壓的情況下顯著提高系統(tǒng)性能。

兩個(gè)系列的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管基于UnitedSiC獨(dú)特的“共源共柵”電路配置，其中常開碳化硅JFET與單金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管封裝在一起，可以構(gòu)建具有標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性的常關(guān)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)在升級(jí)為美國集成電路“直接替代”場(chǎng)效應(yīng)晶體管后，性能將有很大提高，傳導(dǎo)和開關(guān)損耗更低，熱性能增強(qiáng)，集成柵極靜電放電保護(hù)。如果是新的設(shè)計(jì)，聯(lián)合集成電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以提供更高的開關(guān)頻率，這帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，可以實(shí)現(xiàn)更高的效率，并且可以減小磁性元件和電容器等無源元件的尺寸和成本。

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)三引腳TO220-3L封裝可以通過美國集成電路公司的燒結(jié)銀封裝技術(shù)提供增強(qiáng)的熱特性。新封裝產(chǎn)品包括RDS(開)值為30和80的UJ3C器件，以及RDS(開)規(guī)格為40的UF3C器件。

三引線行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-3L封裝是為表面安裝而設(shè)計(jì)的，并已通過了IPC和JEDEC的濕度靈敏度1級(jí)認(rèn)證。新封裝產(chǎn)品包括RDS(on)規(guī)格為30和80的UJ3C器件，以及RDS(on)規(guī)格為30和40的UF3C器件。