Microchip宣布推出碳化硅（SiC）產(chǎn)品，助力打造可靠的高壓電

微芯片的700伏SiC  MOSFET和700伏、1200伏SiC  肖特基勢(shì)壘二晶體管(SBD)將被添加到公司現(xiàn)有的SIc功率模塊產(chǎn)品組合中。超過(guò)35個(gè)新的分立器件產(chǎn)品已投入大規(guī)模生產(chǎn)，并通過(guò)了嚴(yán)格的耐用性測(cè)試。微芯片可以提供全面的開(kāi)發(fā)服務(wù)、工具和參考設(shè)計(jì)支持。微芯片目前提供額定電壓、額定電流和各種封裝的SiC管芯、分立器件和功率模塊。

微芯片分立器件與電源產(chǎn)品管理部高級(jí)副總裁Rich  Simoncic表示：“SiC技術(shù)的演進(jìn)和應(yīng)用已經(jīng)開(kāi)始加速。微芯片多年來(lái)一直在深入培育這個(gè)市場(chǎng)，并致力于滿(mǎn)足全球市場(chǎng)對(duì)碳化硅產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求，保持其在世界上的領(lǐng)先地位。我們使用可靠的產(chǎn)品構(gòu)建產(chǎn)品產(chǎn)品組合，并提供強(qiáng)大的基礎(chǔ)設(shè)施和供應(yīng)鏈支持，以滿(mǎn)足客戶(hù)實(shí)施和調(diào)整產(chǎn)品發(fā)展計(jì)劃的需求。”

微芯片的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管和SBD可以以更高的頻率和更高的效率完成開(kāi)關(guān)操作，并通過(guò)各級(jí)耐用性測(cè)試，這對(duì)于保證產(chǎn)品的長(zhǎng)期可靠性非常重要。電感開(kāi)關(guān)(UIS)的耐久性試驗(yàn)(該試驗(yàn)旨在測(cè)量器件在雪崩條件下，即當(dāng)電壓峰值超過(guò)器件擊穿電壓時(shí)的退化和過(guò)早失效性能)表明，微芯片碳化硅SBD的性能比其他碳化硅二極管高約20%。此外，微芯片的碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管在性能上也優(yōu)于其對(duì)手產(chǎn)品，具有良好的柵氧化層保護(hù)能力和溝道完整性，即使經(jīng)過(guò)10萬(wàn)次重復(fù)UIS(RUIS)測(cè)試，其參數(shù)仍能保持在正常水平。

微芯片是世界上唯一能夠同時(shí)提供硅和SiC分立器件/模塊解決方案的供應(yīng)商之一。公司的產(chǎn)品(包括外部充電站、車(chē)內(nèi)充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電力系統(tǒng)/牽引控制解決方案)能夠很好地滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。新的SiC器件將采用微芯片面向客戶(hù)的產(chǎn)品淘汰機(jī)制，微芯片將根據(jù)客戶(hù)需求產(chǎn)品決定是否繼續(xù)生產(chǎn)這類(lèi)器件。

微芯片將為這種SiC  產(chǎn)品組合提供一系列支持，如各種SiC  SPICE模塊、SiC驅(qū)動(dòng)板參考設(shè)計(jì)和一套功率因數(shù)校正(PFC)維也納整流器參考設(shè)計(jì)等。微芯片的所有碳化硅產(chǎn)品和相關(guān)附件都已批量生產(chǎn)。此外，碳化硅MOSFET和碳化硅二極管還有各種管芯和封裝方案，可供客戶(hù)選擇。