意法半導體公司是世界領(lǐng)先的半導體供應(yīng)商,在多個意法半導體應(yīng)用領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位;紐約證券交易所(代碼:STM)與世界上最大的專業(yè)半導體代工公司臺積電,合作,加快氮化鎵工藝技術(shù)的發(fā)展和氮化鎵分立和集成器件的供應(yīng)。通過此次合作,意法半導體的創(chuàng)新戰(zhàn)略氮化鎵產(chǎn)品將采用臺積電領(lǐng)先的氮化鎵制造工藝。
氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料。與傳統(tǒng)的硅功率半導體相比,它具有明顯的優(yōu)勢,例如在大功率工作時具有較高的能效,大大降低了寄生功率損耗。氮化鎵技術(shù)還可以設(shè)計出更緊湊的器件,使目標應(yīng)用具有更好的整體尺寸。此外,氮化鎵器件的開關(guān)速度比硅器件高10倍,工作峰值溫度更高。這些堅固而強大的材料特性使氮化鎵非常適合各種應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車、工業(yè)、電信和100伏和650伏范圍內(nèi)的特定消費者。
具體而言,與基于相同拓撲的硅技術(shù)相比,功率氮化鎵和氮化鎵集成電路技術(shù)將使意法半導體能夠為客戶提供更好的節(jié)能中高功率應(yīng)用解決方案,包括混合動力和電動汽車的功率轉(zhuǎn)換器和充電器。功率氮化鎵和氮化鎵IC技術(shù)將有助于推動乘用車和商用車電氣化的大趨勢。
半導體汽車和分立器件部門總裁馬可蒙蒂(Marco Monti)法,意,表示:“作為要求苛刻的汽車和工業(yè)寬帶隙半導體技術(shù)和功率半導體領(lǐng)域的領(lǐng)導者,意法半導體看好加快氮化鎵工藝技術(shù)的開發(fā)和交付,并將功率氮化鎵和氮化鎵IC 產(chǎn)品推向市場,這將帶來巨大的機遇。臺積電是值得信賴的代工伙伴,只有他們才能滿足意法半導體目標客戶嚴格的可靠性和開發(fā)規(guī)劃的獨特要求。該合作項目補充了我們在圖爾, 法工廠與CEA-Leti合作開發(fā)的功率氮化鎵的生產(chǎn)能力,氮化鎵是功率和智能功率電子產(chǎn)品和工藝技術(shù)的下一個重大創(chuàng)新。”
臺積電,業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁張曉強,博士表示:“我們期待與意法半導體公司合作,將氮化鎵電力電子技術(shù)引入工業(yè)和汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用。臺積電行業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵制造專業(yè)知識,結(jié)合意法半導體的產(chǎn)品設(shè)計和汽車級認證資格,將大大提高工業(yè)和汽車電源轉(zhuǎn)換的能效,使其更加節(jié)能環(huán)保,并有助于加快汽車電氣化進程。”