Nexperia宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

2020-11-09 10:00:00

2020年6月8日：半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的大容量生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓GaN場效應晶體管。新設備包括兩個包，TO-247和Nexperia的獨家CCPAK。它們都實現(xiàn)了更好的切換和導通性能，并且具有更好的穩(wěn)定性。由于級聯(lián)結構和器件參數(shù)的優(yōu)化，Nexperia氮化鎵場效應晶體管不需要復雜的驅動和控制，應用設計大大簡化；它們也可以使用標準硅場效應晶體管驅動器輕松驅動。

新的氮化鎵技術使用穿透外延層的通孔，減少了缺陷，并將芯片尺寸減小了約24%。TO-247封裝的新器件的導通電阻RDS(on)降至僅41m(最大值，25時典型值為35m)，具有較高的柵極閾值電壓和較低的反向導通電壓。CCPAK封裝的新器件進一步將導通電阻值降至39 m(最大值，25時典型值為33 m)。兩種封裝中的新器件都符合AEC-Q101標準，能夠滿足汽車應用的要求。

耐視氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān)迪爾德喬杜里(Dilder Chowdhury)表示：“客戶需要3000萬至4000萬的導通電阻？650伏高性價比高功率轉換新設備。相關應用包括電動汽車車載充電器、高壓DC-DC轉換器和發(fā)動機牽引逆變器；以及1.5~5kW鈦工業(yè)電源，如：機架式電信設備、5G設備、數(shù)據(jù)中心相關設備。Nexperia繼續(xù)投資氮化鎵開發(fā)，并利用新技術產(chǎn)品擴大其投資組合。首先，我們?yōu)殡娫茨K制造商提供傳統(tǒng)的TO-247封裝器件和裸芯片，然后提供我們的高性能CCPAK芯片封裝器件。”

在Nexperia的CCPAK貼片封裝中，創(chuàng)新的銅夾封裝技術用于替換內(nèi)部封裝引線。這可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和散熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件有頂部或底部散熱配置，這使得它們更加通用，有助于進一步改善散熱。