應(yīng)用材料公司推出用于先進(jìn)存儲(chǔ)器和邏輯芯片的新型刻蝕系

應(yīng)用材料公司的centricy  3y  刻蝕系統(tǒng)可以使芯片制造商在尺寸更小的尖端存儲(chǔ)器和邏輯芯片上成像和成型

新的centrisym  3？y是刻蝕應(yīng)用材料公司最先進(jìn)的導(dǎo)體系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新的射頻脈沖技術(shù)，為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制，使他們能夠在3D  NAND、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和邏輯節(jié)點(diǎn)(包括finfet和新興的環(huán)繞柵極架構(gòu))中創(chuàng)建密集排列的高縱橫比結(jié)構(gòu)。

Sym3系列成功的關(guān)鍵在于其獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn)：高電導(dǎo)反應(yīng)室架構(gòu)可提供特殊的刻蝕剖面控制，快速有效地排出每個(gè)晶圓制程中產(chǎn)生的刻蝕對(duì)產(chǎn)品。Sym3 Y系統(tǒng)使用專(zhuān)有的新涂層材料來(lái)保護(hù)關(guān)鍵的空腔組件，這擴(kuò)展了這種成功架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)，從而進(jìn)一步減少缺陷并提高產(chǎn)量。

SYM3 刻蝕系統(tǒng)于2015年首次推出，現(xiàn)在已經(jīng)成為應(yīng)用材料公司歷史上最快的市場(chǎng)占領(lǐng)者產(chǎn)品。到目前為止，Sym3反應(yīng)室出貨數(shù)量已達(dá)5000個(gè)。

應(yīng)用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供新的材料成型和成像方法，實(shí)現(xiàn)新的三維結(jié)構(gòu)，為2D繼續(xù)小型化開(kāi)辟新的途徑。Sym3系列是實(shí)現(xiàn)這個(gè)策略的關(guān)鍵產(chǎn)品。應(yīng)用材料有限公司采用獨(dú)特的化學(xué)氣相沉積(CVD)涂層技術(shù)，協(xié)同優(yōu)化Sym3系統(tǒng)，使客戶能夠增加3D  NAND存儲(chǔ)器件的層數(shù)，減少動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器制造中四重成型所需的步驟。應(yīng)用材料公司將把上述技術(shù)與其電子束檢測(cè)技術(shù)一起部署，加快研發(fā)速度，大規(guī)模實(shí)現(xiàn)最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)行業(yè)的輸出斜坡，從而幫助客戶提高芯片功耗，增強(qiáng)芯片性能，降低單位面積成本，加快上市時(shí)間(PPACt)。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理穆昆德斯里尼瓦桑博士說(shuō)：“應(yīng)用材料公司在2015年推出Sym3系統(tǒng)時(shí)，采用了新的方法導(dǎo)體刻蝕，解決了3D  NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕問(wèn)題。如今，在最先進(jìn)的內(nèi)存和鑄造邏輯節(jié)點(diǎn)中，關(guān)鍵的刻蝕和極紫外(EUV)圖形應(yīng)用顯示出強(qiáng)勁的發(fā)展勢(shì)頭和增長(zhǎng)。未來(lái)我們會(huì)繼續(xù)升級(jí)，幫助行業(yè)發(fā)展到下一代芯片設(shè)計(jì)。”

每個(gè)Sym3 Y系統(tǒng)包括多個(gè)刻蝕和等離子清洗晶片工藝反應(yīng)室，由智能系統(tǒng)控制，以確保每個(gè)反應(yīng)室具有一致的性能，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的工藝和高生產(chǎn)率。世界各地與非門(mén)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和cast邏輯節(jié)點(diǎn)的許多領(lǐng)先客戶都在使用這一新系統(tǒng)。